ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления
изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и
пьезоэлектрической и базовой технологии создания,
магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации
проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной
пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы
элементной базы

27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического
технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления
изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и
пьезоэлектрической и создания, изготовления и
магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой
проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной
пассивной радиационно стойкой компонентной базы
элементной базы

28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда
на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров,
лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных
радиационно стойких запоминающих программируемых и
комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств,
полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых
интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно
процессоров обработки сигналов, стойком исполнении для создания
микроконтроллеров и схем специальной аппаратуры нового
интерфейса поколения

29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии
с ультратонким слоем кремния на ----- ---- ----- проектирования и изготовления
сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и
сложнофункциональных блоков на
основе ультратонких слоев на
структуре "кремний на сапфире",
позволяющей разрабатывать
радиационно стойкие
сверхбольшие интегральные схемы
с высоким уровнем радиационной
стойкости

30. Разработка базовой технологии и 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели


Страницы: 95 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->