Официальные документы

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

(Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54. О федеральной целевой программе. Национальная технологическая база на 2007 - 2011 годы)

Налог на прибыль организаций. Транспортный налог




соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных
- белого, зеленого, синего и диодов;
- ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и
- инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;
- фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона

74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии производства
технологии получения -- -- -- -- принципиально новых материалов
гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой электроники на
оптическими резонаторами на основе сложных композиций для
основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и
точек для производства оптоэлектронной техники
вертикально излучающих лазеров
для устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения

75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства
производства современных -- -- -- компонентов для
компонентов для 57 22 35 специализированных электронно-
- специализированных лучевых;
- фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и
- числе: отклоняющих систем;
- катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из
электронно-оптических и электровакуумного стекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок

76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства
производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерированных
гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупроводниковых
полупроводниковых структур для структур для изготовления
высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов
электронно-оптических электронно-оптических
преобразователей и преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,
приемников инфракрасного приемников инфракрасного
диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и
др., фотоэлектронных приборов с других приложений
высокими значениями коэффициента
полезного действия

77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии
производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN для


Страницы: 106 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->