Официальные документы

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

(Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54. О федеральной целевой программе. Национальная технологическая база на 2007 - 2011 годы)

Налог на прибыль организаций. Транспортный налог




диаметром до 150 мм для сильноточных тиристоров нового
производства силовых поколения
полупроводниковых приборов

68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное
производства кремниевых подложек --- -- -- -- освоение получения
и структур для силовых 83 20 24 39 высококачественных подложек и
полупроводниковых приборов с структур для использования в
глубокими высоколегированными производстве силовых
слоями p- и n-типов проводимости полупроводниковых приборов, с
и скрытыми слоями носителей с глубокими высоколегированными
повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией

69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства
производства электронного --- --- -- --- пластин кремния диаметром до 200
кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 мм и эпитаксиальных структур
диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мкм
эпитаксиальных структур уровня
технологии 0,25 - 0,18 мкм

70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии
конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных схем
решений и перспективной базовой 161 78 83 и полупроводниковых приборов на
технологии корпусирования основе использования многослойных
интегральных схем и кремниевых структур со сквозными
полупроводниковых приборов на токопроводящими каналами,
основе использования обеспечивающей сокращение состава
многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование
со сквозными токопроводящими трехмерных структур

71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии
производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетероструктур SiGe
биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродействующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с
технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм

72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектрических
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлектроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения

73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов


Страницы: 105 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->