ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

гарантирующих их повышенную технологической и
надежность в процессе производственной документации,
долговременной (более 100 000 ввод в эксплуатацию
часов) эксплуатации, на основе специализированных участков
использования типовых оценочных
схем и тестовых кристаллов

54. Разработка современных методов 342 115 132 95 - - разработка комплектов
анализа отказов изделий --- --- --- -- документации, включая
микроэлектроники с применением 342 115 132 95 утвержденные отраслевые методики,
ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию
(ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и
микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов
синхротронным излучением,
атомная и туннельная силовая
микроскопия, электронно- и
ионно-лучевое зондирование и

Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867
------ --- ----- ------ ------ ------
3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4

Направление 5 "Электронные материалы и структуры"

55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых диэлектрических
производства новых --- -- -- -- материалов на основе
диэлектрических материалов на 85 36 32 17 ромбоэдрической модификации
основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из
модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с
подложек из поликристаллического повышенной теплопроводностью и
алмаза электропроводностью для создания
нового поколения
высокоэффективных и надежных
сверхвысокочастотных приборов

56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии производства
производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и
гетероэпитаксиальных структур и 87 51 36 структур гетеробиполярных
структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных
транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для обеспечения
соединений A3B5 для мощных разработок и изготовления
полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных
сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных
интегральных схем транзисторов

57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой технологии
производства метаморфных --- -- -- -- производства гетероструктур и
структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структур на
псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных
подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и
сверхвысокочастотной электроники сверхвысокочастотных монолитных
диапазона 60 - 90 ГГц интегральных схем диапазона 60 -


Страницы: 102 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->