ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

повышенными год, 2013 год)
характеристиками,
ультранизкоомных
резисторов,
малогабаритных
подстроечных резисторов,
интегральных сборок
серии нелинейных
полупроводниковых
резисторов в
многослойном исполнении
чип-конструкции

123. Разработка технологий 46,93 36,001 10,929 создание базовой технологии
формирования ----- ------ ------ производства датчиков на
интегрированных 30,95 24 6,95 резистивной основе с
резистивных структур с высокими техническими
повышенными технико- характеристиками и
эксплуатационными надежностью (2009 год)
характеристиками на

микроструктурированных
материалов и методов
групповой сборки

124. Создание групповой 59,011 30,006 29,005 создание технологии
технологии ------ ------ ------ автоматизированного
автоматизированного 39 20 19 производства чип- и
производства микрочип-резисторов
толстопленочных чип- и (в габаритах 0402, 0201 и
микрочип-резисторов менее) для применения в
массовой аппаратуре

125. Разработка новых базовых 126 24 27 75 создание базовой технологии
технологий и --- -- -- -- производства конденсаторов с
конструктивных решений 83 16 17 50 качественно улучшенными
изготовления танталовых характеристиками с
оксидно- электродами из неблагородных
полупроводниковых и металлов при сохранении
оксидно- высокого уровня надежности
электролитических (2010 год)
конденсаторов и чип-
конденсаторов и
организация производства
конденсаторов с
повышенным удельным
зарядом, сверхнизким
значением внутреннего
сопротивления и
улучшенными
потребительскими
характеристиками

126. Разработка комплексной 29,801 22,277 7,524 создание базовых технологий
базовой технологии и ------ ------ ----- конденсаторов и ионисторов
организация производства 18 13 5 на основе полимерных
конденсаторов с материалов с повышенным
органическим удельным зарядом и
диэлектриком и энергоемких накопительных
повышенными удельными конденсаторов с повышенной
характеристиками и удельной энергией (2009 год)
ионисторов с повышенным
током разряда

127. Разработка технологии, 94,006 23,5 39,006 31,5 создание технологии и


Страницы: 48 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->