ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

емкостных матриц, внешних факторов (2011 год)
стойких к воздействию
комплекса специальных
внешних факторов

95. Исследование и 1395,5 225 269 309 322,5 270 создание базовой технологии
разработка перспективных ------ ---- ---- --- ----- --- производства гетероструктур,
гетероструктурных и 930 150 179 206 215 180 структур и псевдоморфных
наноструктурированных структур на подложках InP
материалов с для перспективных
экстремальными полупроводниковых приборов и
характеристиками для сверхвысокочастотных
перспективных монолитных интегральных схем
электронных приборов и диапазона 60 - 90 ГГц (2012
радиоэлектронной год), создание технологии
аппаратуры специального получения алмазных
назначения полупроводниковых
наноструктур и наноразмерных
органических покрытий (2013
год), алмазных
полупроводящих пленок для
конкурентоспособных
высокотемпературных и
радиационно стойких
устройств и приборов
двойного назначения,
создание технологии
изготовления гетероструктур
и эпитаксиальных структур на
основе нитридов (2015 год)

96. Исследование и 1395 435 382,5 277,5 300 создание нового класса
разработка экологически ---- --- ----- ----- --- конструкционных и
чистых материалов и 930 290 255 185 200 технологических материалов
методов их использования для уровней технологии 0,065
в производстве - 0,032 мкм и обеспечения
электронной компонентной высокого процента выхода
базы и радиоаппаратуры, годных изделий,
включая бессвинцовые экологических требований по
композиции для сборки международным стандартам


Страницы: 39 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->