ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

технологии производства ------ ------ -- монокристаллов AlN для
монокристаллов AlN для 24 12 12 изготовления изолирующих и
изготовления изолирующих проводящих подложек для
и проводящих подложек создания полупроводниковых
для гетероструктур высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных
приборов нового поколения

93. Разработка базовой 44,559 29,694 14,905 создание базовой технологии
технологии производства ------ ------ ------ вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных 29,2 19,85 9,35 керамики из
оксидов металлов нанокристаллических порошков
(корунда и т.п.) для и нитридов металлов для
производства вакуумно- промышленного освоения
плотной нанокерамики, в спецстойких приборов нового
том числе с заданными поколения (2009 год), в том
оптическими свойствами числе микрочипов,
сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а
также особо прочной
электронной компонентной
базы оптоэлектроники и

94. Разработка базовой 25,006 22,006 3 создание технологии
технологии производства ------ ------ - производства полимерных и
полимерных и гибридных 13 11 2 композиционных материалов с
органо-неорганических использованием поверхностной
наноструктурированных и объемной модификации
защитных материалов для полимеров
электронных компонентов наноструктурированными
нового поколения наполнителями для создания
прецизионных и изделий с высокой
сверхвысокочастотных механической, термической и
резисторов, радиационной стойкостью при
терминаторов, работе в условиях длительной
аттенюаторов и эксплуатации и воздействии
резисторно-индукционно- комплекса специальных


Страницы: 38 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->