ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

89. Исследование и 45,21 30,31 14,9 создание технологии
разработка технологии ----- ----- ---- производства принципиально
получения гетероструктур 30 22 8 новых материалов
с вертикальными полупроводниковой
оптическими резонаторами электроники на основе
на основе квантовых ям и сложных композиций для
квантовых точек для перспективных приборов
производства вертикально лазерной и оптоэлектронной
излучающих лазеров для техники (2009 год)
устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных
переключателей нового
поколения

90. Разработка технологии 32,305 24,805 7,5 создание технологии
производства современных ------ ------ --- производства компонентов для
компонентов для 17 12 5 специализированных
специализированных электронно-лучевых
фотоэлектронных (2010 год),
приборов, в том числе: электронно-оптических и
катодов и отклоняющих систем
газопоглотителей; (2010 год),
электронно-оптических и стеклооболочек и деталей из
отклоняющих систем; электровакуумного стекла
стеклооболочек и деталей различных марок (2011 год)
из электровакуумного
стекла различных марок

91. Разработка технологии 39,505 27,505 12 создание технологии
производства особо ------ ------ -- производства особо тонких
тонких гетерированных 32 20 12 гетерированных нанопримесями
нанопримесями полупроводниковых структур
полупроводниковых для изготовления
структур для высокоэффективных
высокоэффективных фотокатодов электронно-
фотокатодов, электронно- оптических преобразователей
оптических и фотоэлектронных
преобразователей и умножителей, приемников
фотоэлектронных инфракрасного диапазона,
умножителей, приемников солнечных элементов и других
инфракрасного диапазона приложений (2009 год)
и солнечных элементов с
высокими значениями
коэффициента полезного

92. Разработка базовой 42,013 24,013 18 создание технологии


Страницы: 37 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->