ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

приборов на основе сокращение состава сборочных
использования операций и формирование
многослойных кремниевых трехмерных структур
структур со сквозными (2013 год)
токопроводящими каналами

86. Разработка технологии 230,141 35,141 135 30 30 создание базовой технологии
производства ------- ------ --- -- -- производства гетероструктур
гетероструктур SiGe для 143 13 90 20 20 SiGe для выпуска
разработки сверхбольших быстродействующих
интегральных схем с сверхбольших интегральных
топологическими нормами схем с топологическими
0,25 - 0,18 мкм нормами 0,25 - 0,18 мкм

87. Разработка технологии 46,745 28,745 18 создание технологии
выращивания и обработки, ------ ------ -- выращивания и обработки
в том числе 34 22 12 пьезоэлектрических
плазмохимической, новых материалов акустоэлектроники
пьезоэлектрических и акустооптики для
материалов для обеспечения производства
акустоэлектроники и широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения (2009 год)

88. Разработка технологий 93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии
производства ------ ------ -- -- --- массового производства
соединений A B и 58 12 22 15 9 исходных материалов и
3 5 структур для перспективных
тройных структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в
лазерных диодов; том числе:
высокоэффективных производства сверхмощных
- светодиодов белого, лазерных диодов (2010 год);
- зеленого, синего и высокоэффективных
ультрафиолетового светодиодов белого,
диапазонов; зеленого, синего и
фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов
- инфракрасного диапазона (2011 год);
- фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона


Страницы: 36 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->