ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

компонентной базы специального и двойного
специального и двойного назначения (2009 год)
назначения

82. Разработка технологии 138,549 54 84,549 создание технологии
производства ------- -- ------ производства радиационно
высокоомного радиационно 89,7 36 53,7 облученного кремния и
облученного кремния, пластин кремния до 150 мм
слитков и пластин для выпуска мощных
кремния диаметром до транзисторов и сильноточных
150 мм для производства тиристоров нового поколения
силовых (2009 год)
полупроводниковых

83. Разработка технологии 90,4 38,5 51,9 разработка и промышленное
производства кремниевых ---- ---- ---- освоение получения
подложек и структур для 58,9 24 34,9 высококачественных подложек
силовых и структур для использования
полупроводниковых в производстве силовых
приборов с глубокими полупроводниковых приборов,
высоколегированными с глубокими
слоями p- и n-типов высоколегированными слоями и
проводимости и скрытыми скрытыми слоями носителей с
слоями носителей с повышенной рекомбинацией
повышенной рекомбинацией (2009 год)

84. Разработка технологии 220,764 73,964 146,8 создание технологии
производства ------- ------ ----- производства пластин кремния
электронного кремния, 162 48 114 диаметром до 200 мм и
кремниевых пластин эпитаксиальных структур
диаметром уровня 0,25 - 0,18 мкм
до 200 мм и кремниевых (2009 год)
эпитаксиальных структур
уровня технологии
0,25 - 0,18 мкм

85. Разработка методологии, 266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии
конструктивно- ------ ----- ----- -- -- корпусирования интегральных
технических решений и 161 38 83 20 20 схем и полупроводниковых
перспективной базовой приборов на основе
технологии использования многослойных
корпусирования кремниевых структур со
интегральных схем и сквозными токопроводящими
полупроводниковых каналами, обеспечивающей


Страницы: 35 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->