ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

приборов и элементов микроэлектромеханических
микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых
систем структур с использованием
силикатных стекол, моно-,
поликристаллического и
пористого кремния и диоксида

79. Разработка базовых 45,85 29,35 16,5 создание технологии
технологий получения ----- ----- ---- получения алмазных
алмазных 22 11 11 полупроводниковых
полупроводниковых наноструктур и наноразмерных
наноструктур и органических покрытий,
наноразмерных алмазных полупроводящих
органических покрытий с пленок для
широким диапазоном конкурентоспособных
функциональных свойств высокотемпературных и
радиационно стойких
устройств и приборов
двойного назначения

80. Исследование и 136,716 57,132 79,584 создание технологии
разработка технологии ------- ------ ------ изготовления гетероструктур
роста эпитаксиальных 88,55 38 50,55 и эпитаксиальных структур на
слоев карбида кремния, основе нитридов для создания
структур на основе радиационно стойких
нитридов, а также сверхвысокочастотных и
формирования изолирующих силовых приборов нового
и коммутирующих слоев в поколения (2009 год)
приборах экстремальной
электроники

81. Разработка технологии 159,831 52 107,831 создание технологии
производства радиационно ------- -- ------- производства структур
стойких сверхбольших 90 35 55 "кремний на сапфире"
интегральных схем на диаметром до 150 мм с
ультратонких толщиной приборного слоя до
гетероэпитаксиальных 0,1 мкм и топологическими
структурах кремния на нормами до 0,18 мкм для
сапфировой подложке для производства электронной
производства электронной компонентной базы


Страницы: 34 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->