ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

производства ----- -- ----- -- производства
поликристаллических 45,38 12 23,38 10 поликристаллических алмазов
алмазов и их пленок для и его пленок для мощных
теплопроводных сверхвысокочастотных
конструкций мощных приборов (2012 год)
выходных транзисторов и
сверхвысокочастотных

76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии
разработка технологии -- -- -- изготовления новых
изготовления новых 38 24 14 микроволокон на основе
микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и
двухмерных металлодиэлектрических
диэлектрических и микро- и наноструктур для
металлодиэлектрических новых классов
микро- и наноструктур, а микроструктурных приборов,
также полупроводниковых магниторезисторов,
нитей с наноразмерами осцилляторов, устройств
при вытяжке стеклянного оптоэлектроники (2009 год)
капилляра, заполненного
жидкой фазой
полупроводника

77. Разработка технологии 64,048 4,5 32,548 27 создание базовой пленочной
выращивания слоев ------ --- ------ -- технологии пьезокерамических
пьезокерамики на 39 3 18 18 элементов, совместимой с
кремниевых подложках для комплементарной металло-
формирования оксидной полупроводниковой
комплексированных технологией для разработки
устройств микросистемной нового класса активных
техники пьезокерамических устройств,
интегрированных с
микросистемами (2011 год)

78. Разработка методологии и 63,657 42,657 21 создание технологии
базовых технологий ------ ------ -- травления и изготовления
создания многослойных 38 24 14 кремниевых трехмерных
кремниевых структур с базовых элементов
использованием микроэлектромеханических
"жертвенных" и систем с использованием
"стопорных" диффузионных "жертвенных" и "стопорных"
и диэлектрических слоев слоев для серийного
для производства силовых производства элементов


Страницы: 33 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->