ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

монолитных интегральных и мощных транзисторов
схем (2011 год)

72. Разработка базовой 78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии
технологии производства ------ ------ ---- производства гетероструктур
метаморфных структур на 49,8 32 17,8 и псевдоморфных структур на
основе GaAs и подложках InP для
псевдоморфных структур перспективных
на подложках InP для полупроводниковых приборов и
приборов сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотной монолитных интегральных схем
электроники диапазона 60 диапазона 60 - 90 ГГц (2009
- 90 ГГц год)

73. Разработка технологии 132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных
производства ------- ------ -- -- магнитных материалов и
спинэлектронных 82 16 30 36 микроволновых структур со
магнитных материалов, спиновым управлением для
радиопоглощающих и создания перспективных
мелкодисперсных микроволновых
ферритовых материалов сверхвысокочастотных
для сверхвысокочастотных приборов повышенного
приборов быстродействия и низкого
энергопотребления

74. Разработка технологии 76,4 50,1 26,3 создание технологии
производства ---- ---- ---- массового производства
высокочистых химических 47,3 31 16,3 высокочистых химических
материалов (аммиака, материалов (аммиака, арсина,
арсина, фосфина, фосфина, тетрахлорида
тетрахлорида кремния) кремния) для выпуска
для обеспечения полупроводниковых подложек
производства нитрида галлия, арсенида
полупроводниковых галлия, фосфида индия,
подложек нитрида галлия, кремния и
арсенида галлия, фосфида гетероэпитаксиальных
индия, кремния и структур на их основе
гетероэпитаксиальных (2009 год)
структур на их основе

75. Разработка технологии 62,07 12 35,07 15 создание технологии


Страницы: 32 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->