ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

на основе ультратонких слоев
на структуре "кремний на
сапфире", позволяющей
разрабатывать радиационно
стойкие сверхбольшие
интегральные схемы с высоким
уровнем радиационной
стойкости (2013 год)

34. Разработка базовой 92,669 51 41,669 разработка конструкции и
технологии и приборно- ------ -- ------ модели интегральных
технологического базиса 73,15 40 33,15 элементов и технологического
производства радиационно маршрута изготовления
стойких сверхбольших радиационно стойких
интегральных схем сверхбольших интегральных
"система на кристалле", схем типа "система на
радиационно стойкой кристалле" с расширенным
силовой электроники для температурным диапазоном,
аппаратуры питания и силовых транзисторов и
управления модулей для бортовых и
промышленных систем
управления с пробивными
напряжениями до 75 В и
рабочими токами коммутации
до 10 А (2009 год)

35. Разработка элементной 74,471 36,2 38,271 создание ряда
базы радиационно стойких ------ ---- ------ микронанотриодов и
интегральных схем на 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с наивысшей
основе полевых радиационной стойкостью для
эмиссионных долговечной аппаратуры
микронанотриодов космического базирования

36. Создание информационной 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса моделей
базы радиационно стойкой ----- ---- ---- ---- ----- расчета радиационной
электронной компонентной 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 стойкости электронной
базы, содержащей модели компонентной базы для
интегральных определения технически
компонентов, обоснованных норм испытаний
функционирующих в


Страницы: 18 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->