ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

сверхбольших сегнетоэлектрической памяти
интегральных схем уровня 0,35 мкм и базовой
энергозависимой технологии создания,
пьезоэлектрической и изготовления и аттестации
магниторезистивной радиационно стойкой
памяти с проектными пассивной электронной
нормами 0,35 мкм и компонентной базы (2009 год)
пассивной радиационно
стойкой элементной базы

31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологического
технологических ------ ---- ----- ---- ---- процесса изготовления
процессов изготовления 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных
радиационно стойкой схем энергонезависимой
элементной базы для радиационно стойкой
сверхбольших сегнетоэлектрической памяти
интегральных схем уровня 0,18 мкм (2010 год) и
энергозависимой создания, изготовления и
пьезоэлектрической и аттестации радиационно
магниторезистивной стойкой пассивной
памяти с проектными электронной компонентной
нормами 0,18 мкм и базы (2013 год)
пассивной радиационно
стойкой элементной базы

32. Разработка технологии 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного ряда
"кремний на сапфире" ------- ------ ------ цифровых процессоров,
изготовления ряда 73 38 35 микроконтроллеров,
лицензионно-независимых оперативных запоминающих
радиационно стойких программируемых и
комплементарных полевых перепрограммируемых
полупроводниковых устройств, аналого-цифровых
сверхбольших преобразователей в
интегральных схем радиационно стойком
цифровых процессоров исполнении для создания
обработки сигналов, специальной аппаратуры
микроконтроллеров и схем нового поколения
интерфейса

33. Разработка технологии 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии
структур с ультратонким ------ ----- ------ ---- ---- проектирования и
слоем кремния на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и
сложнофункциональных блоков


Страницы: 17 из 139  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->