ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

63. Разработка методологии и базовых 98 41 36 21 - - создание технологии травления и
технологий создания многослойных -- -- -- -- изготовления кремниевых
кремниевых структур с 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов
использованием "жертвенных" и микроэлектромеханических систем с
"стопорных" диффузионных и использованием "жертвенных" и
диэлектрических слоев для "стопорных" слоев для серийного
производства силовых приборов и производства элементов
элементов микроэлектромеханических систем
микроэлектромеханических систем кремниевых структур с
использованием силикатных стекол,
моно-, поликристаллического и
пористого кремния и диоксида

64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии получения
получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых
полупроводниковых наноструктур и 70 41 29 наноструктур и наноразмерных
наноразмерных органических органических покрытий, алмазных
покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для
функциональных свойств конкурентоспособных
высокотемпературных и радиационно
стойких устройств и приборов
двойного назначения

65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии изготовления
технологии роста эпитаксиальных --- -- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных
слоев карбида кремния, структур 128 35 38 55 структур на основе нитридов для
на основе нитридов, а также создания радиационно стойких
формирования изолирующих и сверхвысокочастотных и силовых
коммутирующих слоев в приборах приборов нового поколения
экстремальной электроники

66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии производства
производства радиационно стойких --- -- -- --- структур "кремний на сапфире"
сверхбольших интегральных схем 130 40 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной
на ультратонких приборного слоя до 0,1 мкм и
гетероэпитаксиальных структурах топологическими нормами до 0,18
кремния на сапфировой подложке мкм для производства электронной
для производства электронной компонентной базы специального и
компонентной базы специального и двойного назначения
двойного применения

67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии производства
производства высокоомного --- -- -- -- радиационно облученного кремния и
радиационно облученного кремния, 126 30 36 60 пластин кремния до 150 мм для
слитков и пластин кремния выпуска мощных транзисторов и


Страницы: 100 из 122  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->