ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ
(Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 (ред. от 26.11.2007). О федеральной целевой программе ''Национальная технологическая база'' на 2007 - 2011 годы)Налог на прибыль организаций. Транспортный налог
радиационно стойкой элементной
базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и систем,
работающих в экстремальных
условиях (атомная энергетика,
космос, военная техника)
23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,35 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний
мкм на структурах "кремний на на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем,
обеспечивающих создание
расширенной номенклатуры
быстродействующей и высоко
интегрированной радиационно
стойкой элементной базы
24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ---- -- базиса (технология
технологических решений 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,25 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,25 мкм
25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ----- базиса (технология
технологических решений 240 54,3 185,7 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,18 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,18 мкм
26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического
Страницы: 90 из 122 <-- предыдущая cодержание следующая -->