ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПЕРЕЧЕНЬ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолирующих и
проводящих подложек для проводящих подложек для создания
гетероструктур полупроводниковых
высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения

78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии
производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических
металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов металлов для
производства вакуумно-плотной промышленного освоения
нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового
заданными оптическими свойствами поколения, в том числе
микрочипов, сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а также
особо прочной электронной
компонентной базы оптоэлектроники
и фотоники

79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства
производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных
гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использованием
наноструктурированных защитных поверхностной и объемной
материалов для электронных модификации полимеров
компонентов нового поколения наноструктурированными
прецизионных и наполнителями для создания
сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,
терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной
резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях
матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и
комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных
факторов внешних факторов

Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
---- --- --- --- --- ---
2238 442 408 468 442 478

Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"

80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда
прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной
температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и долговременной
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания
резонаторов на поверхностно контрольной и связной аппаратуры
акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения
полосой до 70 процентов и
длительностью сжатого сигнала до


Страницы: 103 из 122  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->