ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

119. Разработка базовой 162 33 99 30 создание технологии и базовых конструкций
конструкции и технологии --- -- -- -- полноцветных газоразрядных видеомодулей
крупноформатных полно- 108 22 66 20 специального и двойного назначения для
цветных газоразрядных наборных экранов коллективного
видеомодулей пользования (2010 год)

120. Разработка технологии 72 24 18 30 разработка расширенного ряда
сверхпрецизионных -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов, гибридных
резисторов и гибридных 48 16 12 20 интегральных схем цифроаналоговых и
интегральных схем цифро- аналого-цифровых преобразователей с
аналоговых и аналого- параметрами, превышающими уровень
цифровых преобразователей существующих отечественных и зарубежных
на их основе в изделий, для аппаратуры связи,
металлокерамических диагностического контроля, медицинского
корпусах для аппаратуры оборудования, авиастроения,
двойного назначения станкостроения, измерительной техники

121. Разработка базовой 105 45 60 разработка расширенного ряда
технологии особо --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с повышенной
стабильных и особо точных 70 30 40 удельной мощностью рассеяния,
резисторов широкого высоковольтных высокоомных резисторов для
диапазона сопротивления, измерительной техники, приборов ночного
прецизионных датчиков тока видения и аппаратуры контроля (2011 год)
для измерительной и
контрольной аппаратуры и
освоение их производства

122. Разработка технологии и 192 24 78 90 создание базовой технологии и конструкции
базовых конструкций --- -- -- -- резисторов с повышенными значениями
резисторов и резистивных 128 16 52 60 стабильности, удельной мощности в чип-
структур нового поколения исполнении на основе многослойных
для поверхностного монолитных структур (2010 год, 2011 год)
монтажа, в том числе
резисторов с повышенными
характеристиками,
ультранизкоомных
резисторов, малогабаритных
подстроечных резисторов,
интегральных сборок серии
нелинейных
полупроводниковых
резисторов в многослойном
исполнении чип-конструкции

123. Разработка технологий 48 36 12 создание базовой технологии производства
формирования -- -- -- датчиков на резистивной основе с высокими
интегрированных 32 24 8 техническими характеристиками и
резистивных структур с надежностью (2009 год)
повышенными технико-
эксплуатационными
характеристиками на основе
микроструктурированных
материалов и методов
групповой сборки

124. Создание групповой 60 30 30 создание технологии автоматизированного
технологии -- -- -- производства чип- и микрочип-резисторов
автоматизированного 40 20 20 (в габаритах 0402, 0201 и менее) для
производства применения в массовой аппаратуре (2009
толстопленочных чип- и год)
микрочип-резисторов

125. Разработка новых базовых 129 24 30 75 создание базовой технологии производства
технологий и --- -- -- -- конденсаторов с качественно улучшенными


Страницы: 46 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->