ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

уровня технологии
0,25 - 0,18 мкм

85. Разработка методологии, 232 109 123 разработка технологии корпусирования
конструктивно-технических --- --- --- интегральных схем и полупроводниковых
решений и перспективной 161 78 83 приборов на основе использования
базовой технологии многослойных кремниевых структур со
корпусирования сквозными токопроводящими каналами,
интегральных схем и обеспечивающей сокращение состава
полупроводниковых приборов сборочных операций и формирование
на основе использования трехмерных структур (2010 год, 2011 год)
многослойных кремниевых
структур со сквозными
токопроводящими каналами

86. Разработка технологии 220 85 135 создание базовой технологии производства
производства --- -- --- гетероструктур SiGe для выпуска
гетероструктур SiGe для 143 53 90 быстродействующих сверхбольших
разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими
интегральных схем с нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011
топологическими нормами год)
0,25 - 0,18 мкм

87. Разработка технологии 46 28 18 создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в -- -- -- обработки пьезоэлектрических материалов
том числе 34 22 12 акустоэлектроники и акустооптики для
плазмохимической, новых обеспечения производства широкой
пьезоэлектрических номенклатуры акустоэлектронных устройств
материалов для нового поколения (2009 год)
акустоэлектроники и
акустооптики

88. Разработка технологий 87 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов и
соединений A B и тройных 58 22 36 структур для перспективных приборов
3 5 лазерной и оптоэлектронной техники, в том
структур для: числе:
производства сверхмощных производства сверхмощных лазерных диодов
- лазерных диодов; (2010 год);
- высокоэффективных высокоэффективных светодиодов белого,
светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового
- зеленого, синего и диапазонов (2011 год);
- ультрафиолетового фотоприемников среднего инфракрасного
диапазонов; диапазона (2011 год)
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона

89. Исследование и разработка 48 30 18 создание технологии производства
технологии получения -- -- -- принципиально новых материалов
гетероструктур с 33 22 11 полупроводниковой электроники на основе
вертикальными оптическими сложных композиций для перспективных
резонаторами на основе приборов лазерной и оптоэлектронной
квантовых ям и квантовых техники (2009 год)
точек для производства
вертикально излучающих
лазеров для устройств
передачи информации и
матриц для оптоэлектронных
переключателей нового
поколения


Страницы: 39 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->