ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

производства силовых с использованием силикатных стекол, моно-,
приборов и элементов поликристаллического и пористого кремния
микроэлектромеханических и диоксида кремния

79. Разработка базовых 105 61 44 создание технологии получения алмазных
технологий получения --- -- -- полупроводниковых наноструктур и
алмазных полупроводниковых 70 41 29 наноразмерных органических покрытий,
наноструктур и алмазных полупроводящих пленок для
наноразмерных органических конкурентоспособных высокотемпературных и
покрытий с широким радиационно стойких устройств и приборов
диапазоном функциональных двойного назначения (2011 год)

80. Исследование и разработка 141 57 84 создание технологии изготовления
технологии роста --- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных структур
эпитаксиальных слоев 93 38 55 на основе нитридов для создания
карбида кремния, структур радиационно стойких сверхвысокочастотных
на основе нитридов, а и силовых приборов нового поколения
также формирования (2009 год)
изолирующих и
коммутирующих слоев в
приборах экстремальной
электроники

81. Разработка технологии 160 52 108 создание технологии производства структур
производства радиационно --- -- --- "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм
стойких сверхбольших 90 35 55 с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и
интегральных схем на топологическими нормами до 0,18 мкм для
ультратонких производства электронной компонентной
гетероэпитаксиальных базы специального и двойного назначения
структурах кремния на (2009 год)
сапфировой подложке для
производства электронной
компонентной базы
специального и двойного
назначения

82. Разработка технологии 146 54 92 создание технологии производства
производства высокоомного --- -- -- радиационно облученного кремния и пластин
радиационно облученного 96 36 60 кремния до 150 мм для выпуска мощных
кремния, слитков и пластин транзисторов и сильноточных тиристоров
кремния диаметром до 150 нового поколения (2009 год)
мм для производства
силовых полупроводниковых

83. Разработка технологии 92 36 56 разработка и промышленное освоение
производства кремниевых -- -- -- получения высококачественных подложек и
подложек и структур для 63 24 39 структур для использования в производстве
силовых полупроводниковых силовых полупроводниковых приборов, с
приборов с глубокими глубокими высоколегированными слоями и
высоколегированными слоями скрытыми слоями носителей с повышенной
p- и n-типов проводимости рекомбинацией (2009 год)
и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией

84. Разработка технологии 216 72 144 создание технологии производства пластин
производства электронного --- -- --- кремния диаметром до 200 мм и
кремния, кремниевых 162 48 114 эпитаксиальных структур уровня 0,25 -
пластин диаметром 0,18 мкм (2009 год)
до 200 мм и кремниевых
эпитаксиальных структур


Страницы: 38 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->