ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

материалов, перспективных микроволновых
радиопоглощающих и сверхвысокочастотных приборов повышенного
мелкодисперсных ферритовых быстродействия и низкого
материалов для энергопотребления
сверхвысокочастотных

74. Разработка технологии 77 50 27 создание технологии массового
производства высокочистых -- -- -- производства высокочистых химических
химических материалов 49 31 18 материалов (аммиака, арсина, фосфина,
(аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска
тетрахлорида кремния) для полупроводниковых подложек нитрида
обеспечения производства галлия, арсенида галлия, фосфида индия,
полупроводниковых подложек кремния и гетероэпитаксиальных структур
нитрида галлия, арсенида на их основе (2009 год)
галлия, фосфида индия,
кремния и
гетероэпитаксиальных
структур на их основе

75. Разработка технологии 134 79 55 создание технологии производства
производства --- -- -- поликристаллических алмазов и его пленок
поликристаллических 88 52 36 для мощных сверхвысокочастотных приборов
алмазов и их пленок для (2011 год)
теплопроводных конструкций
мощных выходных
транзисторов и
сверхвысокочастотных

76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии изготовления новых
разработка технологии -- -- -- микроволокон на основе двухмерных
изготовления новых 38 24 14 диэлектрических и металлодиэлектрических
микроволокон на основе микро- и наноструктур для новых классов
двухмерных диэлектрических микроструктурных приборов,
и металлодиэлектрических магниторезисторов, осцилляторов,
микро- и наноструктур, а устройств оптоэлектроники
также полупроводниковых (2009 год)
нитей с наноразмерами при
вытяжке стеклянного
капилляра, заполненного
жидкой фазой
полупроводника

77. Разработка технологии 106 25 44 37 создание базовой пленочной технологии
выращивания слоев --- -- -- -- пьезокерамических элементов, совместимой
пьезокерамики на 69 17 28 24 с комплементарной металло-оксидной
кремниевых подложках для полупроводниковой технологией для
формирования разработки нового класса активных
комплексированных пьезокерамических устройств,
устройств микросистемной интегрированных с микросистемами (2011
техники год)

78. Разработка методологии и 57 36 21 создание технологии травления и
базовых технологий -- -- -- изготовления кремниевых трехмерных
создания многослойных 38 24 14 базовых элементов
кремниевых структур с микроэлектромеханических систем с
использованием использованием "жертвенных" и "стопорных"
"жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства
диффузионных и элементов микроэлектромеханических систем
диэлектрических слоев для (2009 год) кремниевых структур


Страницы: 37 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->