Официальные документы

ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

(Постановление Правительства РФ от 26.11.2007 N 809 (ред. от 25.02.2009). О федеральной целевой программе ''Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники'' на 2008 - 2015 годы)

Налог на прибыль организаций. Транспортный налог




изделий интеллектуальной 950 950 силовой микроэлектроники для применения в
силовой электроники для аппаратуре промышленного и бытового
- применения в аппаратуре назначения;
- бытового и промышленного создание встроенных интегральных
применения, на транспорте, источников питания (2013 - 2015 годы)
в топливно-энергетическом
комплексе и в специальных

69. Разработка перспективных 1650 1650 разработка перспективной технологии
технологий сборки ---- ---- многокристальных микроэлектронных модулей
сверхбольших интегральных 1100 1100 для мобильных применений с использованием
схем в многовыводные полимерных и металлополимерных микроплат
корпуса, в том числе и носителей (2015 год)
корпуса с матричным
расположением выводов и
технологий
многокристальной сборки,
включая создание "систем
в корпусе"

Всего по направлению 4 11222 993,4 1236,4 1151 1913,6 5927,5
------ ----- ------ ----- ------ ------
7214,7 639,6 789,4 741,3 1244,4 3800

Направление 5. Электронные материалы и структуры

70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических
производства новых -- -- -- материалов на основе ромбоэдрической
диэлектрических материалов 49 32 17 модификации нитрида бора и подложек из
на основе ромбоэдрической поликристаллического алмаза с повышенной
модификации нитрида бора и теплопроводностью и электропроводностью
подложек из для создания нового поколения
поликристаллического высокоэффективных и надежных
алмаза сверхвысокочастотных приборов

71. Разработка технологии 131 77 54 создание технологии производства
производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и структур
гетероэпитаксиальных 87 51 36 гетеробиполярных транзисторов на основе
структур и структур нитридных соединений A B для обеспечения
гетеробиполярных 3 5
транзисторов на основе разработок и изготовления
нитридных соединений A B сверхвысокочастотных монолитных
3 5 интегральных схем и мощных транзисторов
для мощных (2011 год)
полупроводниковых приборов
и сверхвысокочастотных
монолитных интегральных

72. Разработка базовой 77 50 27 создание базовой технологии производства
технологии производства -- -- -- гетероструктур и псевдоморфных структур
метаморфных структур на 50 32 18 на подложках InP для перспективных
основе GaAs и полупроводниковых приборов и
псевдоморфных структур на сверхвысокочастотных монолитных
подложках InP для приборов интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц
сверхвысокочастотной (2009 год)
электроники диапазона 60 -

73. Разработка технологии 133 79 54 создание спинэлектронных магнитных
производства --- -- -- материалов и микроволновых структур со
спинэлектронных магнитных 88 52 36 спиновым управлением для создания


Страницы: 36 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->