ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

схем, обеспечивающих создание расширенной
номенклатуры быстродействующей и
высокоинтегрированной радиационно стойкой
элементной базы

28. Разработка технологии 155 71 84 создание технологического базиса
проектирования и ----- ---- -- (технология проектирования, базовые
конструктивно- 103,4 47,4 56 технологии), позволяющего разрабатывать
технологических решений радиационно стойкие сверхбольшие
библиотеки логических и интегральные схемы на структурах
аналоговых элементов, "кремний на изоляторе" с проектной
оперативных запоминающих нормой до 0,25 мкм (2009 год)
устройств, постоянных
запоминающих устройств,
сложнофункциональных
радиационно стойких
блоков контроллеров по
технологии "кремний на
изоляторе" с проектными
нормами до 0,25 мкм

29. Разработка технологии 360,1 81,5 278,6 создание технологического базиса
проектирования и ----- ---- ----- (технология проектирования, базовые
конструктивно- 240 54,3 185,7 технологии), позволяющего разрабатывать
технологических решений радиационно стойкие сверхбольшие
библиотеки логических и интегральные схемы на структурах
аналоговых элементов, "кремний на изоляторе" с проектной
оперативных запоминающих нормой до 0,18 мкм
устройств, постоянных
запоминающих устройств,
сложнофункциональных
радиационно стойких
блоков контроллеров по
технологии "кремний на
изоляторе" с проектными
нормами до 0,18 мкм

30. Разработка базовых 174 98 76 создание технологического процесса
технологических процессов --- ---- ---- изготовления сверхбольших интегральных
изготовления радиационно 116 65,3 50,7 схем энергонезависимой, радиационно
стойкой элементной базы стойкой сегнетоэлектрической памяти
для сверхбольших уровня 0,35 мкм и базовой технологии
интегральных схем создания, изготовления и аттестации
энергозависимой радиационно стойкой пассивной
пьезоэлектрической и электронной компонентной базы (2009 год)
магниторезистивной памяти
с проектными нормами 0,35
мкм и пассивной
радиационно стойкой
элементной базы

31. Разработка базовых 261 56 205 создание технологического процесса
технологических процессов ----- ---- ----- изготовления сверхбольших интегральных
изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 схем энергонезависимой радиационно
стойкой элементной базы стойкой сегнетоэлектрической памяти
для сверхбольших уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания,
интегральных схем изготовления и аттестации радиационно
энергозависимой стойкой пассивной электронной
пьезоэлектрической и компонентной базы (2011 год)
магниторезистивной памяти
с проектными нормами 0,18
мкм и пассивной
радиационно стойкой
элементной базы

32. Разработка технологии 140,8 83,2 57,6 разработка расширенного ряда цифровых
"кремний на сапфире" ----- ---- ---- процессоров, микроконтроллеров,
изготовления ряда 93,9 55,4 38,5 оперативных запоминающих программируемых


Страницы: 27 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->