ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

24. Исследование 1080 1080 исследование технологических принципов
перспективных типов ---- ---- формирования перспективных
сверхвысокочастотных 720 720 сверхвысокочастотных приборов и
приборов и структур, структур, включая создание
разработка наногетероструктур, использование
технологических принципов комбинированных (электронных и
их изготовления оптических методов передачи и
преобразования сигналов), определение
перспективных методов формирования
приборных структур, работающих в
частотных диапазонах до 200 ГГц

25. Разработка перспективных 1050 1050 создание полного состава прикладных
методов проектирования и ---- ---- программ проектирования и оптимизации
моделирования 700 700 сверхвысокочастотной электронной
сложнофункциональной компонентной базы, включая
сверхвысокочастотной проектирование активных приборов,
электронной компонентной полосковых линий передачи, согласующих
базы компонентов, формируемых в едином
технологическом процессе

Всего по направлению 1 10791 1545 1722 1930,5 1603,5 3930
---- ---- ---- ------ ------ ----
7194 1030 1148 1327 1069 2620

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26. Разработка базовой 151 71 80 создание технологии изготовления
технологии радиационно ----- ---- ---- микросхем с размерами элементов 0,5 мкм
стойких сверхбольших 100,8 47,4 53,4 на структурах "кремний на сапфире"
интегральных схем уровня диаметром 150 мм (2009 год), разработка
0,5 мкм на структурах правил проектирования базовых библиотек
"кремний на сапфире" элементов и блоков цифровых и аналоговых
диаметром 150 мм сверхбольших интегральных схем
расширенной номенклатуры для организации
производства радиационно стойкой
элементной базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и систем,
работающих в экстремальных условиях
(атомная энергетика, космос, военная

27. Разработка базовой 315,4 59,4 256 создание технологии изготовления
технологии радиационно ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов
стойких сверхбольших 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний на
интегральных схем уровня сапфире" диаметром 150 мм (2011 год),
0,35 мкм на структурах разработка правил проектирования базовых
"кремний на сапфире" библиотек элементов и блоков цифровых и
диаметром 150 мм аналоговых сверхбольших интегральных


Страницы: 26 из 101  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->