ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

мкм на структурах "кремний на на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем,
обеспечивающих создание
расширенной номенклатуры
быстродействующей и высоко
интегрированной радиационно
стойкой элементной базы

24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ---- -- базиса (технология
технологических решений 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,25 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,25 мкм

25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ----- базиса (технология
технологических решений 240 54,3 185,7 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,18 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,18 мкм

26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического
технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления
изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и
пьезоэлектрической и базовой технологии создания,
магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации
проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной
пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы
элементной базы


Страницы: 94 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->