ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПРОДОЛЖЕНИЕ
(Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54. О федеральной целевой программе. Национальная технологическая база на 2007 - 2011 годы)Налог на прибыль организаций. Транспортный налог
21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии
сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и
диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков
управления и портативных портативной аппаратуры
фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин
миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения
волн на основе средств связи, радиолокационных
магнитоэлектронных станций, радионавигации,
твердотельных и измерительной техники,
высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных
приборов и устройств с и сигнальных устройств,
функциями адаптации и цифрового разработка комплектов
диаграммообразования документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944
------ ----- ---- ---- ---- ---
3349 545 680 668 827 629
Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"
22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- -- ---- ---- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,5 мкм 134,8 34 47,4 53,4 0,5 мкм на структурах "кремний на
на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем
расширенной номенклатуры для
организации производства
радиационно стойкой элементной
базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и систем,
работающих в экстремальных
условиях (атомная энергетика,
космос, военная техника)
23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,35 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний
Страницы: 93 из 126 <-- предыдущая cодержание следующая -->