ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

вторичного электропитания электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка
узлов аппаратуры комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии

10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и
производства ряда силовых --- -- -- технологии производства
герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных,
высокоплотных источников высокоплотных источников
вторичного электропитания вторичного электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе
узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с
применением бескорпусной
элементной базы, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии

11. Разработка базовых конструкций и 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового
технологии производства корпусов ----- ---- -- -- производства ряда корпусов мощных
мощных сверхвысокочастотных 110 25 52 33 сверхвысокочастотных приборов для
транзисторов X, C, S, L и P - "бессвинцовой" сборки, разработка
диапазонов из малотоксичных комплектов документации в
материалов с высокой стандартах единой системы
теплопроводностью конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии

12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых конструктивных
теплоотводящих элементов систем --- -- -- -- рядов элементов систем
охлаждения сверхвысокочастотных 97 30 40 27 охлаждения аппаратуры X и C -
приборов X и C - диапазонов на диапазонов наземных,
основе новых материалов корабельных и воздушно-


Страницы: 89 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->