ИНДИКАТОРЫ И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ ПОДПРОГРАММЫ. ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

Необходимость выполнения работ обусловлена задачей сохранения паритета с другими ядерными державами в области стратегических ядерных сил. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001 - 2005 годах в рамках Программы ускоренного развития субмикронной радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения стратегических ядерных сил. Нужно учитывать, что закупки лицензий на эти технологии на мировом рынке невозможны из-за ограничений, накладываемых международными соглашениями о нераспространении ядерных технологий.
В рамках направления 3 "Микросистемная техника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий в целях разработки:
- базовой технологии прецизионного формирования микроэлектромеханических трехмерных структур;
- системы автоматизированного проектирования микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных акселерометров, включая создание специализированного центра проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек стандартных элементов;
- библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов, пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и других приборов.
Развертывание работ по указанному направлению обусловлено необходимостью удовлетворения резко возросшего спроса на микроэлектромеханические системы на внутреннем и мировом рынках. Так, объемы мирового рынка в 2005 году составили 7,1 млрд. долларов США. По прогнозу, рыночная потребность в 2010 году простейших систем, разработка и производство которых под силу большинству российских микроэлектронных производств, составит более 850 млн. штук (более 30 млрд. рублей в год), что дает возможность выхода российских производителей на мировой рынок.
Отставание России от передовых стран в области микросистемной техники не так значительно в связи с тем, что конкретные прикладные результаты в мировом масштабе были получены только в 90-е годы и технологические нормы для производства микроэлектромеханических систем доступны большинству предприятий отрасли.
В 2007 году планируется начать выполнение комплекса научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке базовых технологий и базовых конструкций микроакустоэлектромеханических, микроаналитических, микрооптоэлектромеханических, радиочастотных микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных полей. В результате будут разработаны датчики физических величин, в частности давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, резонаторов и других, а также освоены базовые технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые вещества.
Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники для других отраслей промышленности, реализация этого направления расширяет возможности автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, навигации, здравоохранения, информационных, телекоммуникационных и военных технологий, что позволит обеспечить реализацию национальных приоритетов технологического развития и повысить экспортный потенциал России в области высоких технологий.
В рамках направления 4 "Микроэлектроника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в целях:
- разработки базовых технологий специализированных больших интегральных схем, в том числе технологии комплементарных полевых транзисторных структур уровня 0,25 - 0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;
- разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства специализированных сверхбольших интегральных схем и организации межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мкм;
- ускоренного развития систем проектирования сложных специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы "система на кристалле"), ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля;
- разработки новых поколений электронной компонентной базы, в том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых больших интегральных схем для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;
- разработки сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том числе программируемых), микроконтроллеров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов, приемопередатчиков), а также специализированных блоков для телекоммуникации и связи;


Страницы: 80 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->