ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

монтажа, в том числе: резисторов чип-исполнении на основе
с повышенными характеристиками, многослойных монолитных структур
ультранизкоомных резисторов,
малогабаритных подстроечных
резисторов, интегральных сборок
серии нелинейных
полупроводниковых резисторов в
многослойном исполнении чип-
конструкции

105. Разработка технологий 90 42 36 12 - - создание базовой технологии
формирования интегрированных -- -- -- -- производства датчиков на
резистивных структур с 60 28 24 8 резистивной основе с высокими
повышенными технико- техническими характеристиками и
эксплуатационными надежностью
характеристиками на основе
микроструктурированных
материалов и методов групповой

106. Создание групповой технологии 105 45 30 30 - - создание технологии
автоматизированного производства --- -- -- -- автоматизированного производства
толстопленочных чип- и микрочип- 70 30 20 20 чип- и микрочип-резисторов (в
резисторов габаритах 0402, 0201 и менее) для
применения в массовой аппаратуре

107. Разработка новых базовых 129 - 24 30 75 - создание базовой технологии
технологий и конструктивных --- -- -- -- производства конденсаторов с
решений изготовления танталовых 86 16 20 50 качественно улучшенными
оксидно-полупроводниковых и характеристиками с электродами из
оксидно-электролитических неблагородных металлов при
конденсаторов и чип- сохранении высокого уровня
конденсаторов и организация надежности
производства конденсаторов с
повышенным удельным зарядом,
сверхнизким значением
внутреннего сопротивления и
улучшенными потребительскими
характеристиками

108. Разработка комплексной базовой 65 24 20 21 - - создание базовых технологий
технологии и организация -- -- -- -- конденсаторов и ионисторов на
производства конденсаторов с 43 16 13 14 основе полимерных материалов с
органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и
повышенными удельными энергоемких накопительных
характеристиками и ионисторов с конденсаторов с повышенной
повышенным током разряда удельной энергией

109. Разработка технологии, базовых 115 - - 25 60 30 создание технологии и базовых
конструкций высоковольтных --- -- -- -- конструкций нового поколения
(быстродействующих, мощных) 77 17 40 20 выключателей для радиоэлектронной
вакуумных выключателей нового аппаратуры с повышенными тактико-
поколения с предельными техническими характеристиками и
характеристиками для надежностью
радиотехнической аппаратуры с
высокими сроками службы

110. Разработка технологий создания 74 25 24 25 - - создание технологии изготовления
газонаполненных высоковольтных -- -- -- -- коммутирующих устройств для
высокочастотных коммутирующих 50 17 16 17 токовой коммутации цепей в
устройств для токовой коммутации широком диапазоне напряжений и


Страницы: 113 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->