ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией

69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства
производства электронного --- --- -- --- пластин кремния диаметром до 200
кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 мм и эпитаксиальных структур
диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мкм
эпитаксиальных структур уровня
технологии 0,25 - 0,18 мкм

70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии
конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных схем
решений и перспективной базовой 161 78 83 и полупроводниковых приборов на
технологии корпусирования основе использования многослойных
интегральных схем и кремниевых структур со сквозными
полупроводниковых приборов на токопроводящими каналами,
основе использования обеспечивающей сокращение состава
многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование
со сквозными токопроводящими трехмерных структур

71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии
производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетероструктур SiGe
биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродействующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с
технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм

72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектрических
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлектроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения

73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов
соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных
- белого, зеленого, синего и диодов;
- ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и
- инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;


Страницы: 105 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->