ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ. ПРОДОЛЖЕНИЕ

59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии массового
производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочистых
химических материалов (аммиака, 85 36 31 18 химических материалов (аммиака,
арсина, фосфина, тетрахлорида арсина, фосфина, тетрахлорида
кремния) в обеспечение кремния) для выпуска
производства полупроводниковых полупроводниковых подложек
подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсенида галлия,
арсенида галлия, фосфида индия, фосфида индия, кремния и
кремния и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур на
структур на их основе их основе

60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии производства
производства поликристаллических --- -- -- поликристаллических алмазов и его
алмазов и их пленок для 88 52 36 пленок для мощных
теплопроводных конструкций сверхвысокочастотных приборов
мощных выходных транзисторов и
сверхвысокочастотных приборов

61. Исследование путей и разработка 98 41 36 21 - - создание технологии изготовления
технологии изготовления новых -- -- -- -- новых микроволокон на основе
микроволокон на основе 65 27 24 14 двухмерных диэлектрических и
двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и
металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов
наноструктур, а также микроструктурных приборов,
полупроводниковых нитей с магниторезисторов, осцилляторов,
наноразмерами при вытяжке устройств оптоэлектроники
стеклянного капилляра,
заполненного жидкой фазой
полупроводника

62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной
выращивания слоев пьезокерамики --- -- -- -- технологии пьезокерамических
на кремниевых подложках для 69 17 28 24 элементов, совместимой с
формирования комплексированных комплементарной металло-оксидной
устройств микросистемной техники полупроводниковой технологией для
разработки нового класса активных
пьезокерамических устройств,
интегрированных с микросистемами

63. Разработка методологии и базовых 98 41 36 21 - - создание технологии травления и
технологий создания многослойных -- -- -- -- изготовления кремниевых
кремниевых структур с 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов
использованием "жертвенных" и микроэлектромеханических систем с
"стопорных" диффузионных и использованием "жертвенных" и
диэлектрических слоев для "стопорных" слоев для серийного
производства силовых приборов и производства элементов
элементов микроэлектромеханических систем
микроэлектромеханических систем кремниевых структур с


Страницы: 103 из 126  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->